Ученые НГУ разрабатывают новые материалы для создания элементов памяти будущего
Эти элементы будут превосходить привычную нам флеш-память по количеству циклов перезаписи, емкости и быстродействию, а скорость одного цикла перезаписи в тысячу или даже миллион раз быстрее, чем у флеш-памяти.